二维拓扑绝缘体两带模子的规范理论与纽结理论

2020.10.13

投稿:龚惠英部分:理学院浏览次数:

活动信息

时间: 2020年10月22日 10:00

所在: 校本部G309

报告问题(Title):二维拓扑绝缘体两带模子的规范理论与纽结理论

报告人(Speaker):刘鑫 副教授(北京工业大学)

报告时间(Time):2020年10月22日(周四)上午10:00

报告所在(Place):校本部G309

约请人(Inviter):姜颖

摘要(Abstract):

二维拓扑绝缘体的紧约束模子中,,,,,两带模子(two-band model)是能够爆发非平庸拓扑的最简朴模子。。。。。;; ;;;;舳绲鸡襙xy=e^2/h P的量子化主要由拓扑数P(称为Pontrjagin指数)决议,,,,,本事情主要关注P的取值。。。。。。报告第一部分引进一种新的规范理论,,,,,用’t Hooft 单极子(monopole)拓扑模子来诱导单极和女婿(meron)引发,,,,,复现文献中P=0, ±1的效果。。。。。。第二部分则提出一个全新的纽结理论看法,,,,,将P诠释为两个环的高斯纠葛数。。。。。。这样不但可以获得P=0, ±1,,,,,还可为设计更重大的新拓扑质料提供可能,,,,,即具有高拓扑数P=0, ±1, ±2的方晶格结构。。。。。。这一要领预期可进一步推广到更重大的拓扑新质料研究当中。。。。。。

 

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