问题：稀土元素掺杂氮化镓（GaN）的性能与研究希望(Structural and optical properties of rare earth doped GaN)

所在：校本部东区7号楼510聚会室（质料基因组工程研究院）

时间： 2019年10月10日 9：30-10：30

约请人：王生浩

报告人简介：秋本克洋，，博士，，于1979年在日本京都大学获博士学位，，于1979年到1993年在索尼中央研究院从事蓝光激光及发光二极管质料的研发，，是蓝光激光器的研究先驱（2003年“日本経済新聞社刊”出书书籍《蓝光LED和激光器的先驱者》，，书中位列了日本在发光二极管（LED）和激光器领域优异的七位科学家，，其中有中村修二、赤崎勇、天野浩、秋本克洋等七位教授）。。
。。秋本教授于1993到筑波大学从事教学及科研事情，，1998年提升教授，，2012至2014年担当筑波大学理学部部长，，现任筑波大学特命教授。。
。。揭晓SCI收录文章205篇，，著有半导体相关书籍（章节）专著12本，，获得美国授权专利8项，，日本授权专利26项，，任《Journal of Crystal Growth》期刊客座编辑、《Applied Surface Science》期刊照料编委、《Japan Journal of Applied Physics》编辑委员。。
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报告简介：稀土元素掺杂的半导体具有优异的光学特征，，故其在LED显示、上转换、下转换等领域有很好的应用价值。。
。。本报告将先容铕（Eu）掺杂和铽（Tb）掺杂的氮化镓（GaN）的结构特征、光学性能和缺陷特征，，并就基于稀土掺杂的LED器件发光特征睁开讨论。。
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