报告主题： 研究引发电子关于器件和纳米质料影响的新型实验计划
报 告 人：Bruno GRANDIDIER 教授（法国国家科研中心微电子与纳米手艺研究所（IEMN）主任研究员)
报告时间：2014年7月1日（周二)9:00
报告所在：校本部G309
主理部分：理学院物理系
邀 请 人: 查访星教授
摘 要： 在半导体的许多应用中，，，局域导电性的表征关于器件最终性能评价很是要害。
。随着标准降低，，，古板要领如四探针丈量会对样品爆发很大损伤。
。因此，，，扫描隧道显微镜（STM）就成极有潜力的测试手段--它不但不使用电极且可提供极高空间区分。
。使用STM针尖的扫描能力可获得载流子倍增效率的空间区分，，，而得以在纳米标准探讨关于硅PN结的碰撞离化，，，载流子扩散和复合的组合效应。
。应用SEM发射电子对证料引发可爆发多种反应并改变质料特征。
。本报告讨论电子辐射怎样影响单个半导体纳米线和纳米晶体的输运性子。
。电子辐射后上述纳米结构的导电性会爆发极大的且具可重复性的增添；；；；此效应可以区特殊貌和体质料对电子输运的孝顺。
。最后我们提出提高半导体纳米结构对电子辐射耐受性的解决计划。
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报告人简介： Bruno GRANDIDIER 教授 现为法国国家科研中心微电子与纳米手艺研究所（IEMN）主任研究员。
。并担当ISEN物理系系主任。
。研究领域主要涉及低维纳米质料的制备及电输运特征表征，，，纳米质料在光伏太阳能中的应用，，，以及扫描隧道显微镜的表征。
。已揭晓学术论文80余篇，，，包括Science，，，PRL，，，Nanoletters等顶级期刊中论文10余篇。
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